名称 | 规格 | 价格范围 | 均价 | 涨跌 | 单位 | 时间 |
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P-MOS级 6英寸碳化硅导电型衬底 | 4H n-type Nitrogen 偏<11-20>4±0.15 电阻率0.016~0.024ohm·cm LTV≤2μm(10mm*10mm) TTV≤5μm Bow -15μm~15μm Warp≤20μm 微管密度<0.15ea/cm2 | 4340~5400 | 4870 | 0 | 元/片 | 09-13 |
P-SBD级 6英寸碳化硅导电型衬底 | 4H n-type Nitrogen 偏<11-20>4±0.15 电阻率0.015~0.025 ohm·cm LTV≤3μm(5mm*5mm) TTV≤6μm Bow -25~25μm Warp≤35μm 微管密度<5ea/cm2 | 3300~4000 | 3650 | 0 | 元/片 | 09-13 |
D级 6英寸碳化硅导电型衬底 | 4H n-type Nitrogen 偏<11-20>4±0.15 电阻率0.015~0.028 ohm·cm LTV≤10μm(5mm*5mm) TTV≤15μm Bow-45~45μm Warp≤60μm 微管密度<15ea/cm2 | 1100~1600 | 1350 | 0 | 元/片 | 09-13 |