P-MOS级 6英寸碳化硅导电型衬底 | 4H n-type Nitrogen 偏<11-20>4±0.15 电阻率0.016~0.024ohm·cm LTV≤2μm(10mm*10mm) TTV≤5μm Bow -15μm~15μm Warp≤20μm 微管密度<0.15ea/cm2 | 3100~4500 | 3800 | -350 | 元/片 | 09-27 |
P-SBD级 6英寸碳化硅导电型衬底 | 4H n-type Nitrogen 偏<11-20>4±0.15 电阻率0.015~0.025 ohm·cm LTV≤3μm(5mm*5mm) TTV≤6μm Bow -25~25μm Warp≤35μm 微管密度<5ea/cm2 | 2100~3100 | 2600 | -400 | 元/片 | 09-27 |
D级 6英寸碳化硅导电型衬底 | 4H n-type Nitrogen 偏<11-20>4±0.15 电阻率0.015~0.028 ohm·cm LTV≤10μm(5mm*5mm) TTV≤15μm Bow-45~45μm Warp≤60μm 微管密度<15ea/cm2 | 800~1500 | 1150 | -150 | 元/片 | 09-27 |
P-MOS级 8英寸碳化硅导电型衬底 | 4H n-type Nitrogen 偏<11-20>4±0.15º 电阻率0.016~0.024ohm·cm LTV≤3μm(10mm*10mm) TTV≤7μm Bow -20μm~20μm Warp≤30μm | 11000~12000 | 11500 | -500 | 元/片 | 09-27 |
P-SBD级 8英寸碳化硅导电型衬底 | 4H n-type Nitrogen 偏<11-20>4±0.15º 电阻率0.015~0.025 ohm·cm LTV≤5μm(10mm*10mm) TTV≤10μm Bow -25~25μm Warp≤35μm | 8500~10000 | 9250 | -750 | 元/片 | 09-27 |